成分對磁通密度的影響
在軟磁合金中，Fe是提供磁性的主要成分。為了獲得高飽和磁通密度，期望Fe含量盡可能大。然而，Fe含量為70原子％或較高將導致相當低的電阻率。另一方面，Fe含量低于本發明的Fe含量范圍的下限，盡管會獲得高的電阻率，但會導致相當低的飽和磁通密度。
用符號M表示的稀土元素（以下元素之一：屬于元素周期表第3A組的Sc和Y，以及鑭系元素，包括La，Ce，Pr，Nd，Pm，Sm，Eu Gd，Td，Dy，Ho，Er，Tm，Yb，Lu等）和符號M'表示的元素（屬于元素周期表第4A，5A和6A組的元素之一，例如Ti） Zr，Hf，V，Nb，Ta和W）對于獲得軟磁性能較為重要。這些元素容易與氧氣結合形成氧化物。通過調節這種氧化物的含量，可以實現電阻率的增加。
利用本發明的組成范圍，可以獲得400至2.0×105μΩ.cm的高電阻率。通過獲得高的電阻率，可以減少由渦電流引起的損耗，可以高頻范圍內的磁導率的減少，并且可以實現高頻特性的增加。應當指出的是，Hf被認為具有磁致伸縮的能力。通過在30020至600℃的溫度下對合金膜進行退火，可以合金膜的內應力而獲得較好的軟磁性能。
